IGBT絕緣柵雙極晶體管電源是雙極型晶體管BIT和MOSFET晶體管的復(fù)合。雙極晶體管飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流也大;而MOSFET晶體管為電壓驅(qū)動(dòng)型，它的驅(qū)動(dòng)功率小，載流密度小，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通壓降大。ICBT晶體管綜合了兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，成為驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低、 導(dǎo)通損耗小的新型器件。

       IGBT晶體管電源與晶閘管中頻電源相比，它的工作頻率比晶閘管高，可達(dá)100kHz。它的效率也比晶閘管略高。因此，它既是超音頻電源，也可作中頻電源，它能完全取代真空管式超音頻電源，還能代替一部分晶閘管電源，它的發(fā)展前途比晶閘管更為廣闊。如圖所示為IGBT晶體管電源電壓型串聯(lián)諧振式逆變器。

       鄭州日佳采用德國(guó)進(jìn)口IGBT逆變，尺寸小，高耐壓，IGBT具有很大的輸入電阻和較小的輸入電容，則驅(qū)動(dòng)功率低，開(kāi)關(guān)速度高，工作頻率可以達(dá)到200kHz。在正常工作時(shí)，導(dǎo)通電阻較低，增大了器件的電流容量。使得日佳感應(yīng)加熱設(shè)備的壽命大大增加，且功耗降低，安全節(jié)能環(huán)保。